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正离子空位型固溶体
空位型固溶体
是置换型固溶体吗
答:
是。据人人文库网显示:置换
固溶体
,是指溶质原子占据溶剂晶格部分正常位置所形成的固溶体,间隙固溶体是指溶质原子不是占据溶剂晶格的正常结点位置,而是填入溶剂原子间的一些间隙中。所以空位型固溶体是置换型固溶体。
什么叫缺位
固溶体
答:
相反,加三氧化二镧到二氧镁离子,留下一个
正离子空位
。相反,加三氧化二镧到到二氧化锆、加氧化镉到三氧化二铋中形成
固溶体
,则产生负离子空位。此外,碳化钛(TiC)中溶入金属钛时,则在碳化钛晶格中出现应为碳原子占据但未占据的空位而构成缺位固溶体。缺位固溶体较置换固溶体和间隙固溶体的晶格歪...
固溶体
形成固溶体后对晶体性质的影响
答:
其次,
固溶体
的形成也可能活化晶格。如Al2O3,尽管熔点高达2050℃,不利于烧结。然而,加入TiO2后,通过形成固溶体,Ti4+取代Al3+,产生
正离子空位
,促进扩散,烧结温度降低至1600℃,有利于化学反应进行。固溶强化是另一个重要概念。固溶体的强度和硬度通常会高于其组元,但塑性较低。强化效果取决于多种...
固溶体
的概念
答:
固溶体
(solid solution)的现代(或者说广义的)概念是指:由一种或多种被视为溶质的元素或化合物,混溶于作为固态溶剂的单质或化合物之晶格中而组成的呈单一均匀相的晶体;且其溶质与溶剂的组分含量比,能在相当宽的、乃至整个的范围内连续变化而并不导致溶剂的晶体结构发生质变。此概念与早期(或狭义的)...
为什么离子注入过程都是
正离子
答:
带有空穴的半导体,称为空穴型半导体,也叫P型半导体。它们以带正电的空穴导电为主,让三价元素(如硼)取代晶格中硅原子的位置。离子注入是把气体或金属元素蒸汽通入电离室,电离形成
正离子
,经高压电场加速,使离子获得很高速度后打入固体中的物理过程。利用离子注入的方法,可获得高度的饱和
固溶体
、压...
间隙
固溶体
和间隙化合物在晶体结构与性能上区别何在?
答:
例如:AI2O3熔点高(2050℃),不利于烧结,若加入TiO2,可使烧结温度下降到1600℃,这是因为AI2O3与TiO2形成
固溶体
,Ti4+置换Al3+后, 带正电,为平衡电价,产生
正离子空位
,加快扩散,有利于烧结进行。③固溶强化 固溶体的强度与硬度往往高于各组元,而塑性则较低,这种现象称为固溶强化。强化...
类质同象类质同象混晶与
固溶体
答:
在固态物质中,
固溶体
是一种特殊的现象,指的是一个化合物中包含了另一种化合物的组分,形成一个单一结晶相的均匀晶体结构。例如,黑钨矿的类质同象混晶可以理解为MnWO4(溶质)在FeWO4(固体溶剂)的晶体中均匀溶解,形成的正是固溶体的一种类型。因此,通常情况下,人们会将类质同象混晶与固溶体...
结构紧密的
固溶体
含有大量
空位
损耗大吗
答:
大。结构紧密的
固溶体
中含有大量
空位
时,会导致其物理性质发生改变,造成的会损耗大大增加,结构紧密的固溶体含有大量空位损耗是大的。
(20分)LiF和MgF2可以形成
固溶体
若将少量LiF加入到MgF2中,会形成什么类 ...
答:
具体来说,当LiF和MgF2形成
固溶体
时,可能会出现以下两种类型的缺陷:1.
空位
缺陷:当MgF2中掺杂了少量LiF后,会形成一些氟
离子
F-的空位。这些空位可以被其他离子或杂质占据,导致晶格畸变和材料性能的不稳定。2. 活性缺陷:掺杂了少量LiF的MgF2材料中,可能会出现一些活性中心,例如氟空位聚集区、缺陷...
固体电解质的详细内容
答:
加入CaO并经过高温煅烧后,形成了CaO与ZrO2的代位
固溶体
,ZrO2的晶型变为CaF2型的立方晶体,并且不随温度的变化而改变,因而改善其抗热震性。另一方面,一个Ca2+置换一个Zr4+,为保持电中性就要出现一个 O2-的空位。掺杂后的固溶体里有大量的氧
离子空位
。在高温下,氧离子通过空位可以快速迁移,形成氧...
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