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硅烷和氮气反应吗
氮气
会和
硅烷
发生
反应吗
答:
硅不管是不是融化它和氮气基本上都是不反应的
。主要原因是因为氮气的化学性质非常稳定,它不容易和其他的物质发生反应。
氨气
与
什么
反应
生成氮化硅和氢气
答:
可以用氨气NH₃和SiH₄
(硅烷)在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化硅和氢气
:3SiH+4NH₃ 一定条件 Si₃N₄+12H₂氮化硅的制法有以下两种:1、在1300~1400℃时将粉状硅与氮气反应; 在1500℃时将纯硅与氨作用;2、在含少量氢气的氮气中...
氮化
硅
的钝化原理
答:
制备氮化硅抗反射膜。氮化硅的钝化是采用等离子体将硅源物质(硅烷)和氮源物质(氮气)以一定比例混合,并利用高温等离子体条件催化气体
反应
,使
氮气和硅烷
气体分子迅速反应,能够在表面形成一层稳定的氮化硅抗反射膜。
硅烷
气体是要用
氮气
携带吗
答:
不要
。硅烷气体不要用氮气携带,氯硅烷和硅烷完全是两种特性的气体,硅烷绝对不能用氮气压,硅烷偶联剂遇水会水解,所以要保证无水, 所以硅烷燃烧过程中是要通氮气保护的,用来除水除氧。
求助薄膜沉积PECVD问题
答:
2. 纯度要求:对于PECVD工艺,气体的纯度是很重要的,因为杂质会影响薄膜的质量和性能。
硅烷和氮气
都需要高纯度。通常要求硅烷的纯度在99.999%以上,氮气的纯度在99.9999%以上。3. 笑气(N2O):在某些PECVD工艺中,笑气也可以用作
反应
气体之一。它可以提供氧原子来改善薄膜的化学性质和稳定性。使用笑气...
为什么沉积氮化硅薄膜时要通
氮气
答:
沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由
硅烷和氮反应
形成的。气相法 是直接利用气体,或者通过各种手段将物质转变为气体,使之在气体状态下发生物理变化或者化学反应,最后在冷却过程中凝聚长大形成纳米粒子的方法。用该法可制备纯度高、颗粒分散性好、粒径分布窄、粒径小的纳米陶瓷粉体。气相...
硅烷
、液氮、次氯酸钠的性质
答:
硅烷
不溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿和四氯化硅。不与润滑油、脂肪
反应
。对几乎所有的金属无腐蚀性。有时,玻璃中的碱成分也能分解硅烷。溶解在二硫化碳中的硅烷遇到空气也可发生爆炸。 第一部分:化学品名称 化学品中文名称: 液氮 化学品英文名称: Liquid nitrogen 中文名称2: 英文名称2: 技术说明书编码: 84 CAS No...
四氢化硅化学
反应
答:
硅烷
在常温常压下呈现无色、有恶臭的气体特性。它在室温下一旦接触空气或卤素气体,会发生爆炸性燃烧,即使在其他气体稀释下,若浓度超过一定阈值,仍有可能自燃。例如,它在氩气中的浓度达到2%、
氮气
中2.5%或氢气中1%时,仍可引发燃烧。安全范围为浓度小于1%不燃,1%~3%时可能燃烧,而超过3%则会自燃。
四氢化硅的化学
反应
答:
在超过420摄氏度的环境下,
硅烷
会分解成硅和氢。因此硅烷可以被用来提纯硅。硅烷在常温常压下为具有恶臭的无色气体。在室温下着火,在空气或卤素气体中发生爆炸性燃烧。即使用其它气体稀释,如果浓度不够低.仍能自燃。硅烷在氩气中含2%、
氮气
中含2.5%、氢气中含1%时,它仍能着火。硅烷浓度在小于1%时...
硅烷
气体管道一个月不用需要排空吗?
答:
需要的
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