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饱和压降大
锗管
饱和压降
过大
答:
请问问的是锗管饱和压降过大的影响因素吗?具体影响因素如下:
1、be电压:电压越低,饱和压降越大,锗的性质不太稳定
。锗的导电性很好,所以会产生不必要的热量,导致晶体管过热停机2、温度:锗的禁带宽度小,所以电子更活跃,受温度的影响更大,外在表现就是温度稳定性差,温度越高,饱和压降越大。
饱和压降
跟什么有关
答:
流体的粘度和密度、流体的流量和速度。
1、流体的粘度和密度:粘度和密度越大,流体通过管道或孔隙时的阻力也越大,产生的压降也会相应增大
。2、流体的流量和速度:流量和速度越大,流体通过管道或孔隙时的阻力也越大,产生的压降也会相应增大。
复合管(达林顿管)做开关管时的
饱和压降
比单只晶体管要大吗
答:
开关管在截止(管
压降大
,但电流极小)和
饱和
导通(管压降很小,电流达最大值)时,管耗是很小的,但在开关和截止的转换过程中,管耗比较大。所以平均管耗和开关的速度是有关的。同一管子用在低速开关电路中可以不加散热片,但用在高速开关电路中,就要加散热片。
大功率三极管的
饱和压降
为什么比普通三极管大
答:
这是因为,同样偏置电压情况下大功率三极管ic比一般小功率管要大(实际上大功率三极管的偏压较高)。在
饱和
情况下,由以下关系式 IC≈EC/RC。
三极管中什么是
饱和压降
答:
饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流,此时我们称判断电路处于饱和状态
。具体判断方法如下:在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就...
谁能帮我解释一下什么是
饱和压降
?
答:
饱和压降
就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结(饱和压降就是:当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结 ( C)与发射结(E)之间的电位差。压降就是:两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是:在一定的温度和压力下,溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度,不能在溶解了。也可以说是:事物...
影响晶体管
饱和压降
的因素有哪些
答:
一般be电压和温度对它影响比较大。be电压越低,
饱和压降
越大,温度越高,饱和压降越大
igbt
饱和压降
是什么
答:
E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的
饱和压降
。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右,IGBT就会损坏。一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降,来实现IGBT过流保护的。
功率有两大基本要素,
饱和压降
是什么
答:
是指半导体在加反向电压时,流过电阻元件的电流达到某一最大值后,其继续增加时反向电流不再急剧变化时的正向电压。功率有两大基本要素,
饱和压降
是指半导体在加反向电压时,流过电阻元件的电流达到某一最大值后,其继续增加时反向电流不再急剧变化时的正向电压,这个数值对于同一种材料制作的晶体三极管来...
三极管:
饱和
管
压降
与最大管压降的区别
答:
管压降都是指的VCE的电压,最大管压降是指的是三极管VCE所能承受的电压,饱和时管压降是指三极管饱和状态下的VCE的电压,通常为零点几V,大功率的为2~3V。饱和管压降:三极管处于饱和状态下集电集和发射极之间的压降就叫
饱和压降
。最大管压降:三极管VCE所能承受的电压。
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