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bjt的饱和压降Vces
晶体管
饱和压降Vces是
什么
答:
三极管一般处于放大区工作,计算的时候一般从发射结压降入手,硅管0.7V,锗管0.2V,去算出vce。 但三极管同样有截止区与饱和区,当发射结与集电结都正偏的时候,三极管处于饱和区,此时vce是个常数,即
饱和压降
,取0.2V~0.3V。
什么是IGBT
饱和压降
?
答:
在
BJT的
输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时,总是希望该饱和范围越小越好,即要求输出电压——
饱和压降
越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻,故为了降低饱和压降,就需要提高集电区掺杂浓度。但为了提高提高击穿电压,又需要减小集电区...
什么是晶体管
的饱和
管
压降
,一般用什么表示
答:
晶体管在
饱和
时集电极与发射极之间的电压,用
Vces
表示。
Vceo
Vces
分别是什么意思
答:
1、Vceo是指当基极开路时,在集电极电源Vcc作用下,在集电极与反射极之间形成的反向击穿电压,也叫集电极与发射极之间的安全电压;2、Vceo是集电极与发射极之间
的饱和
电
压降
,三极管b代表基极,e代表发射极,c代表集电极,这一般都是最基本的参数;3、
Vces是
基极发射极短路,集电极发射极的反向击穿电压,三...
三极管参数
Vces是
什么意思?
答:
三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间
的饱和
(saturate,
Vces
中的s就是此缩写)
压降
; 三极管的参数解释 λ---光谱半宽度 VF---正向压降差 Vz---稳压范围电压增量 av---电压温度系数 a---温度系数 BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压 BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极...
饱和压降vces
和什么有关
答:
饱和压降vces
和三极管类型、结构有关。
小功率硅三极管
的饱和压降
为什么是0.3v?有人能解释清楚吗
答:
因为饱和时也是有内阻的,尽管它未必线性变化。小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关,分硅和锗两种;NPN型硅管
的饱和压降Vce
为0.3~0.4V之间,锗管的饱和压降为0.2~0.3V;另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和,且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
模电三极管参数中的
VCES
与VOn有什么联系
答:
Vces是饱和
管压降,是三极管饱和时ce两级间
的压降
Von是三极管的开启电压,即be间的电压大于Von三极管才导通
三极管参数
Vces是
1v还是0.3v
答:
对于硅管取1伏,锗管取0.3伏。
...三极管工作时的CE电压是看VCEO还是
VCES
,还是VCES,VCEO都有...
答:
Vces是饱和压降
,当三极管导通时,就看这个参数。Vceo是管子的最高耐压值,正常电路不可能也不应该用到这个电压的。
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