11问答网
所有问题
当前搜索:
临界饱和压降
大学电工电子,三极管这个是怎么看出来是截止的?
答:
发射结和集电结都是反偏,三极管截止
三极管导通
压降
是指哪两个极之间的啊,npn和pnp还不一样是吗
答:
导通是指发射结有正向偏压,即eb脚之间有电流,和ec脚之间有电流时的
压降
,三极管按极性分有npn和pnp之分,按材料分有锗和硅之分,二十年前常见的是pnp型锗管居多,如今一般是npn型硅管居多,导通压降只与材料有关,锗管的eb脚正向偏压在0.2-0.3v,ec脚导通电压最低可达0.02v以下,硅管eb正向偏压在0...
请问什么是三极管的
饱和
深度?
答:
当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断
临界饱和
的条件。根据Ib*β=V/R算出...
电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些?
答:
电力晶体管很大,但损耗并不大。GTR刚进入饱和时为
临界饱和
,如iB继续增加,则为过饱和,用作开关时,应工作在深度饱和状态,这有利于降低uCE和减小导通时的损耗。(2)动态特性 图4-8GTR共发射极接法的输出特性(见题图)图4-9GTR开关特性 GTR在关断时漏电流很小,导通时
饱和压降
很小。因此,GTR在...
电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些?
答:
电力晶体管很大,但损耗并不大。GTR刚进入饱和时为
临界饱和
,如iB继续增加,则为过饱和,用作开关时,应工作在深度饱和状态,这有利于降低uCE和减小导通时的损耗。(2)动态特性 图4-8GTR共发射极接法的输出特性(见题图)图4-9GTR开关特性 GTR在关断时漏电流很小,导通时
饱和压降
很小。因此,GTR在...
三极管的输出特性曲线中Uce从零开始变大时Ic也从零开始变大,为什么不...
答:
○其实
饱和
区、放大区、截止区三者没有明显的分界线,划分它们可以用Uce,以共发射极电路为例:Uce略=电源电压E---截止 Uce《0.3V或0.1V---饱和 Uce在1/2E左右---放大 ○“在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.请问是不是真的?”以NPN管共发射极电路为例:既然都...
二极管的正向
压降
变小,从0.46变成0.15,有什么情况下可以造成这现象_百 ...
答:
有两种情况会使二极管正向压降变小。电流减小,从二极管I-V特性看,电流变小,压降会降低。第二种,二极管是负温度系数,随着温度升高,晶体管的正向导通压降(
饱和压降
)变小,每增加1℃,正向压降VD大约减小2 mV,在高温下会二极管软击穿,如果电流还没有限制住,就会进入不可恢复的击穿。
三极管中的UCES=UBEQ吗?如果等于的话是为什么呢?
答:
是可以的。Uces是三极管共发射极放大器的集电极
饱和压降
。Ubeq是三极管共发射极放大器的基极压降。当三极管的基极电流≥基极
临界饱和
电流,三极管的集电结的反偏电压就会逐渐减小,慢慢过渡到零偏,直至于到正偏。这时三极管就由放大区进入到饱和区。当集电结零偏时,也就是说集电极电位与基极电位相等,就会...
三极管输出特性曲线的
饱和
区,我很费解!
答:
就是比红线上那一点对应的电压u1或u2,或u3...),Ic不能输出预期的稳定的大电流,而是受到“
饱和
”效应输出一个随Uce变化的较小的电流,除非增大Uce到某个
临界
点,超过u1,u2,u3...时,Ic才会输出预期的比较大的稳定的电流!因此,“饱和区”的意义在于划定一个分界线,这个分界线上的点指示了一串...
您好,请问二极管,三极管的
压降
跟什么有关
答:
2. 掺杂浓度 材料不变,掺杂浓度越大,正向压降就越大。有的硅整流二极管正向压降低达0.4V,有的硅二极管正向压降高达0.8V,就是掺杂浓度不同造成的。详见半导体物理学或者模拟电子学著作。至于三极管的集电极-发射极
饱和压降
Uce(sat),则主要与管子的饱和程度有关,也与电流大小有关。
棣栭〉
<涓婁竴椤
6
7
8
9
11
12
13
14
10
15
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜