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饱和压降vces什么意思
igbt
什么意思
答:
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件
饱和压降
低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET...
什么
是igbt
答:
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件
饱和压降
低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET...
小功率硅三极管的
饱和压降
为
什么
是0.3v?有人能解释清楚吗?
答:
三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大,管子饱和越深(在一定范围内),其
饱和压降
越小;在相同的Ib下,集电极电流越小,管子的饱和压降也越小。三极管在饱和状态时,集电极压降未必是0.3V,而是集电极电流的函数,电流越小,电压越低,最低可以达到mV数量...
稳压三极管有
什么
参数?
答:
VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间
饱和压降
VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES
---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压...
节能灯电路原理
答:
(1)三极管进入存储时间阶段,Ib变为负值并一直维持(图4浅色曲线A);三极管存储结束退出饱和:当Ib负电流绝对值开始减小的时刻(图4浅色曲线A),也就是Ic存储结束开始减小(图4深色曲线2),Vce离开
饱和压降Vces
at开始上升的时刻(图4浅色曲线1),这也就是三极管由导通转变为截止的第二个转折点。整个过程也由两部分组成,...
三极管的参数
视频时间 04:03
三极管在电源电路里起
什么
作用?
答:
(1)三极管进入存储时间阶段,Ib变为负值并一直维持(图4浅色曲线A);三极管存储结束退出饱和:当Ib负电流绝对值开始减小的时刻(图4浅色曲线A),也就是Ic存储结束开始减小(图4深色曲线2),Vce离开
饱和压降Vces
at开始上升的时刻(图4浅色曲线1),这也就是三极管由导通转变为截止的第二个转折点。整个过程也由两部分组成,...
要用镇流器的台灯(灯管是11W的)的原理和电路图
答:
在这期间,基区电流(称为IB2)是负,但是Vce维持在
饱和压降Vces
at(图4浅色曲线1),而Ic电流正常流动(图4深色曲线2),这时期对应存储时间(Tsi)。在这段时间Vbe始终是正的,但是基区电流(称为IB2)是负的。有的书上说导通管的关闭是因为其基极电位转变为负电位,也有的说“T1(磁环)饱和...
要用镇流器的台灯(灯管是11W的)的原理和电路图
答:
(1)三极管进入存储时间阶段,Ib变为负值并一直维持(图4浅色曲线A);三极管存储结束退出饱和:当Ib负电流绝对值开始减小的时刻(图4浅色曲线A),也就是Ic存储结束开始减小(图4深色曲线2),Vce离开
饱和压降Vces
at开始上升的时刻(图4浅色曲线1),这也就是三极管由导通转变为截止的第二个转折点。整个过程也由两部分组成,...
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