Sentaurus Device作为高级多维（1D/ 2D/ 3D）器件仿真器，能够仿真硅基和化合物半导体器件的电学、热力学和光学特性。Sentaurus Device是设计与优化现行及未来半导体器件的新一代器件仿真器。
Sentaurus Device是一种通用器件仿真工具，能够为多种类型设备提供仿真验证。
AreaFactor ：2D仿真当中，当计算浓度时用于指定Z方向宽度
Recombination ：复合模型，包括辐射复合，SRH（肖特基-里德-霍尔）复合以及Auger复合
DopingDependence ：复合速率及载流子迁移率与注入浓度相关
IncompleteIonization ：不完全电离模型，对指定的离子，可添加关键词 Dopants
Physics{ IncompleteIonization(Dopants = "Species_name1 Species_name2 ...") }
很多情况下，指定各种晶格的平均占据概率即可。例如，对于6H-SiC，可以假设氮离子注入在六边形格点 h 和立方体格点k1,k2有相同的概率，使用关键字 split
EffectiveIntrinsicDensity ：禁带模型，默认BandGapNarrowing（禁带变窄）
eBarrierTunneling "NLM" ：非局域隧穿模型
Aniso ：指定仿真坐标系统中各向异性晶体方向
Nonlocal ：一般来说， Nonlocal 指定构建网格的界面或者接触，Sentaurus Device以不超过 Length （默认单位为厘米）的长度连接半导体顶点和界面及接触。本例中，Sentaurus Device构建名为"NLM"的非局域网格并以不超过50nm的距离连接格点至top_schottky电极。 Digits 决定相对精度， EnergyResolution 用于限定计算隧穿电流的时间以免 Digits 值太大。