第1个回答 2022-09-28
场效应管FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。
栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。
通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连，根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起，因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构，比如级联传输电路和串叠式电路。
扩展资料
栅极电压对电流的影响
计算机仿真展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成（电子密度的变化）。阈值电压在0.45V左右。FET通过影响导电沟道的尺寸和形状，控制从源到漏的电子流（或者空穴流）。
沟道是由（是否）加在栅极和源极的电压而创造和影响的（为了讨论的简便，这默认体和源极是相连的）。导电沟道是从源极到漏极的电子流。
参考资料来源：百度百科—场效应管