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饱和管压降下降
饱和管压降
是什么意思
答:
其意为供气管道内部压力降低
。饱和管压降是指在管道或管路系统中,流体通过饱和蒸汽态(液相和气相共存)时,由于摩擦和阻力等因素所引起的供气管道内部压力的降低。需要注意的是,饱和管压降是在饱和状态下液气两相共存的特定情况下才会发生,而非所有流体传输或管路系统中都存在此现象。
晶体
管饱和压降
为什么越低越好
答:
1、饱和压降越低,相对的输出阻抗越小,有利于驱动负载
;2、饷和压降越低,其在输出电流时承受的电压越小,功耗越小
饱和管压降
是什么???
答:
集电结处于正向偏置时,晶体管工作于
饱和
状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,
管压降
也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压...
三极管的
饱和压降
是多少?
答:
因为三极管
饱和
导通时三极管的βIb大于实际Ic(βIb>>Ic),因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL,即Ic≈Ucc/RL,三极管饱和导通时的
压降
硅管0.7V,锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变...
三极管
饱和管压降
为什么是0.3V?
答:
值得注意的是,硅管的
饱和管压降
通常为0.3V,而锗管则更低,约为0.1V,这是它们材料特性决定的测量结果,无需深入理论分析。背后的原因与技术细节</理解这个0.3V的数值并非仅靠直觉,而是源于三极管内部的物理机制。当电流通过集电极强烈增加,集电结的电压
下降
,以至于无法完全截止,导致Uce的下降。但...
三极管
饱和
时Uce
压降
多大
答:
三极管
饱和
时Uce
压降
可以达到0.1V以下,甚至更低。一般情况下,在安全值以内,Ib越大,Uce越小。
三极管
饱和压降
是什么意思?
答:
三极管
饱和压降
Vce(sat)三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很...
三极管在
饱和
状态时为什么集电极
压降
只有0.3v
答:
管子饱和
越深(在一定范围内),其
饱和压降
越小;在相同的Ib下,集电极电流越小,管子的饱和压降也越小。笔者曾经做过实验,采用日本公司生产的2SD1960高β三极管(该管外形跟9013完全一样,β最高可达1000,其Icm达5A)驱动一个800mA的小灯泡,在管子处于饱和状态时,实测其饱和压降仅有90多mV。
为什么三极管的深度
饱和
电
压降
是0.2伏
答:
双极型晶体三极管在饱和状态时不但发射结正向偏置,集电结也处于正向偏置。就你说的NPN(硅材料)三极管处于深度饱和工作状态而言,其反射结正向偏置电压Ube=0.6V,集电结正向偏置电压Ubc=0.4V,这时它的
饱和压降
Uces=Ucb-Ueb=-Ubc-(-Ube)=Ube-Ubc=0.6V-0.4V=0.2V。
三极体
饱和
时Uce
压降
多大
答:
三极体
饱和
导通时的
压降
是多少啊 三极体饱和导通时的压降矽管0.7V,锗管0.3V。 三极体,全称应为半导体三极体,也称双极型电晶体、晶体三极体,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱讯号放大成幅度值较大的电讯号, 也用作无触点开关。晶体三极体,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用...
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