这个要看具体型别的，一般来说，总的规律是，小功率三极体这个电压会小一些，但大功率三极体，这个电压不小。
1、饱和是一种状态，有程度深浅之分，而衡量深浅的重要标志就是这个UCE。
2、一般认为，临界饱和电压UCES是饱和与放大的分界线，过了这个点就是饱和。
小功率管子，一般这个电压是0.7V，大功率管子大概是2-3V。后面饱和程度深了之后就不好说了，一般小功率管子饱和导通的UCE电压，往往用0.3V来估算（但实际是不是0.3V，真的只有鬼才知道），大功率管子还是乖乖地实测吧。
这个东西不是嘴巴说的，而是从三极体的输出特性曲线上查出来的。三极体的特性曲线可以用专门的仪器测出来，虽然不同器件之间曲线有所不同，但总体上的规律与书上的图是一样的。
你随便找本摸电书看看，查一下三极体的输出特性曲线，从曲线上，可以清楚地找到饱和区和放大区，仔细看一下曲线的左边部分，你可以看到，在放大区，曲线基本上都散开，而越靠近饱和区，曲线越集中，最后汇成一条线，也就是所谓的饱和线（饱和区实际上更像一条线，而书中饱和区左边往往有一些空白部分，这部分，其实三极体的电气效能根本就到不了），这部分曲线对应的横座标，是不是在UCE上都比较小？
现实中，三极体的饱和和放大界限不是像开关那样有很清晰的界限，而是一种逐步过渡的过程。你说的UCE等于0，这是在理想状态下的说法。实际上，更多地是使用UCE（SAT）（临界饱和电压）来描述饱和和放大的界限，小于这个值就可以认为是饱和（当然还可以使用其他工程估算值）。比较常用的是小功率三极体UCE（SAT）=0.7V，大功率一般为2-3V。
当UCE小于这个值时，可以认为三极体开始饱和（注意，饱和是一个过程，有深浅之分，UCE越小，饱和程度越深）。
在工程计算时，我们一般不会按照UCE=0来计算（小功率三极体），而是用UCE=0.3V，这样更贴近实际。
当然，你在学习过程中，可以简单认为饱和时UCE=0，这是一种很理想的状态，实际是不可能达到的。
模电就是这样，大量地需要经验和估算，即便同样学过模电，理解程度也有深浅之分。对于新手来说，如何区分理想与实际的关系，如何去估算引数，确实比较困难，这也是模电学习中有名的难点。
真实中三极体饱和Uce一般很低，矽管约0.3v，这0.3v电压对你来说可以忽略的时候就可以设为0
饱和压降就是当电晶体达到饱和导通时电晶体集电结（饱和压降就是：当电晶体达到饱和导通时电晶体集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。
压降就是：两点之间的电位差。
饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。
测试三极体饱和压降VCE(sat)，顾名思义就是测试三极体在饱和状态时VCE的数值。具体到某一个型号的三极体，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2SC3852是一个低饱和压降的三极体。它的测试条件中规定了要在IC=2A,IB=50mA条件下测试VCE的数值。
三极体饱和导通时的压降矽管0.7V，锗管0.3V。
三极体，全称应为半导体三极体，也称双极型电晶体、晶体三极体，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱讯号放大成幅度值较大的电讯号， 也用作无触点开关。晶体三极体，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极体是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN接面，两个PN接面把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
Uces是三极体集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。
Uce是三极体集电极与发射极之间的电压。在三极体处于饱和导通的情况下的Uce就是Uces。
此外，三极体的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极体饱和状态根据条件来确认的。是；发射结正偏和集电结正偏。只要你计算NPN型的满足VB>VE,VB>VC就可确认了。Uce=V-ICQRc 加大集电极电阻就使三极体工作在饱和区。
三级管工作有俩种状态1放大，用于讯号放大，一般用于小讯号处理。2用于电路的开关，又称开关管主要用于产生直流电源，这时三级管工作在饱和状态。别灰心在电路中多理解就好了