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掺杂和固溶体的区别
固体电解质的详细内容
答:
另一方面,一个Ca2+置换一个Zr4+,为保持电中性就要出现一个 O2-的空位。
掺杂
后的
固溶体
里有大量的氧离子空位。在高温下,氧离子通过空位可以快速迁移,形成氧离子导电固体电解质。1600℃时,掺杂 15mo1%CaO的 ZrO2的电导率约为 1.0西门子/厘米,高于同温度中高炉渣的电导率(0.24~0.82 西门子/...
掺杂固溶体与
两相陶瓷的热导率随体积分数而变化的规律有何
不同
_百度...
答:
你好,过饱和
固溶体
时效处理后会析出细小弥散均匀分布的强化相,而相比室温平衡组织的强化相比较粗大,不均匀,所以强化效果差,强度较低。
三价的铈离子
掺杂
在氟化镧基质中会不会发光,为什么
答:
三价铈离子进入氟化镧基质中形成
固溶体
是肯定的。如果
掺杂
量合适,应该是可以发光的,因为三价铈离子的电子构型为4f1,可以产生4f到5d之间的允许跃迁,形成一个发射宽峰。至于氟化镧是不是一个很好的发光基质,以及理想的掺杂浓度,那就需要实验来证实了。
简述扩散
掺杂
过程中的踢出机制
答:
什么是踢出机制?扩散
掺杂
过程中,踢出机制是指器件中的掺杂杂质在晶格中相遇并发生反应,从而形成
固溶体
或氧化物的过程。在这个过程中,晶格的杂质会踢出到介质中。掺杂杂质的扩散 在扩散掺杂过程中,掺杂杂质需要通过空穴或电子的扩散来进行。当杂质是P型离子(如硼)时,它会释放出一个空穴,这个空穴...
半导
体的
分类?
答:
硒化铅等) 、Ⅳ-Ⅳ族(如碳化硅)化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元
固溶体
,如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等,还处于研究阶段。此外,还有非晶态和液态半导体材料,这类半导体与晶态半导体的最大
区别
是不具有严格周期性排列的晶体结构。
(20分)LiF和MgF2可以形成
固溶体
若将少量LiF加入到MgF2中,会形成什么类 ...
答:
LiF和MgF2之间可以形成一定的
固溶体
,其晶格参数和晶体结构等也会随LiF
掺杂
量
的不同
而发生变化。当将少量LiF加入MgF2中时,由于材料成分和结构的变化,会形成一定数量的缺陷。具体来说,当LiF和MgF2形成固溶体时,可能会出现以下两种类型的缺陷:1. 空位缺陷:当MgF2中掺杂了少量LiF后,会形成一些氟...
为什么
掺杂
会是金属性变为半导体
答:
锗应用广化合物半导体二元系、三元系、元系机化合物半导体二元系化合物半导体Ⅲ-Ⅴ族(砷化镓、磷化镓、磷化铟等)、Ⅱ-Ⅵ族(硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等)、Ⅳ-Ⅵ族(硫化铅、硒化铅等)、Ⅳ-Ⅳ族(碳化硅)化合物三元系元系化合物半导体主要三元元
固溶体
镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等机...
什么是半导体?
答:
分类:半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的
固溶体
(...
什么是“半导体”和“超导体”?
答:
人类最初发现超导体是在1911年,这一年荷兰科学家海克·卡末林·昂内斯(Heike Kamerlingh Onnes)等人发现,汞在极低的温度下,其电阻消失,呈超导状态。此后超导
体的
研究日趋深入,一方面,多种具有实用潜力的超导材料被发现,另一方面,对超导机理的研究也有一定进展。
P型半导
体的
P是什么意思?N型半导体的N是什么意思?
答:
P型半导
体的
“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。N型半导体的“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。在N型半导体中,...
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