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电荷面密度除以2倍介电常数
求半径为r,
电荷
体
密度
为p=kr(r≤R)的球体在空间产生的场强
答:
解 :设以半径r做高斯面 整个球体带电总量用积分 q(总)=∫ p*4π r^
2
dr(积分限从0到R)=πKR^4 .当r>=R时,E=q(总)/4π*ε0*r^2 (此处ε0为真空
介电常数
)相当于整个电量集中在球心处 当r
阈值电压影响因素
答:
影响cmos阈值电压的因素:1、栅氧化层厚度TOX
2
、衬底费米势 3、金属半导体功函数差 4、耗尽区电离杂质
电荷面密度
耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比 5、栅氧化层中的电荷面密度Qox 阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化...
一半径为R的均匀带电球体,其
电荷
的体
密度
为ρ.求(1)球外任一点的电势...
答:
解:以球心为原点建立球坐标系。设场点据原点的距离为r 1、 对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解。ES=Q/ε ,其中S=4πr^
2
整理得:E=Q/4πεr^2 2、 对于球内的点,即r<R时 带电球体的
电荷
体
密度
为 ρ=Q/((4/3) πR^3)运用高斯定理得:ES=Q/ε,其中 Q=ρ...
一块相对
介电常数
为εr的介质处于电场分布为E(r)电场中,设介质表面法线...
答:
介电常数
(等于相对介电常数乘以真空中的介电常量)乘以电场强度的法相分量即为导体表面的
面电荷密度
.(用高斯定理即可证明,注意,导体内部电场强度为零).
电场问题
答:
首先确实是有高斯定理的知识,但我想不用它,我也能给你解释明白 咱们先一点点说,首先想象一个大导体球壳,中心有一个点
电荷
,先介绍个名词--电通量,可以理解为单位面积穿过导体面的电场线根数,定义为,E(电场强度)*S(面积) 那么回到刚才这个问题 球壳的总电通量就应该是4πr^2 (即为...
高中物理电场公式
答:
电场公式并不多。定义式:E=F/q 单一点
电荷
:E=kq/r^2(k为静电
常数
,q为点电荷带电量,r为距点电荷距离)均匀带电球壳(半径为R):E=kq/r^2(r〉R或r=R),E=0(r<R)(r为距球心距离)均匀带电球体(半径为R):E=kq/r^2(r〉R或r=R),E=kqr/R^3(r<R)匀强电场...
神经细胞膜内外电势差为-70v膜厚度为60nm 求电场强度和
电荷密度
...
答:
U=70伏特,d=60nm=6*10^(-8)米,ε=7 这个电场相当于平行板电容器两板之间的匀强电场。电场强度大小是 E=U/d 即 E=70/[6*10^(-8)]=1.17*10^9伏特/米 设这个“电容器“带电量是Q,极板正对面积为S,根据平行板电容器的电容公式,有 C=εS/(4πKd)=Q/U 得
电荷密度
是 ...
...100n/c的的电场,方向竖直向下.求;地球带的净
电荷
是多少
答:
解:由E=KQ/r^
2
有 Q=Er^2/K=4.55×10^5C 每平方米平均净电荷α=Q/4π r^2=9/10^9C 和熟知的静电荷(例如在梳子上产生的电荷)比较是小 因为一般的带静电的面积(例如梳子)比较小,
电荷密度
就大,这样地面的电荷密度就比较小了。
半径为R的带
电介
质球,相对
介电常数
为εr,体
密度
分布为ρ=k/r (k为...
答:
Q=∫ρdV=∫(k/r)4πr²dr=
2
πr²k, 积分范围是0到r,其中dV=4πr²dr,是高斯面所包围的体积的增大量,由高斯定理∮D·dS=Q得 D·4πr²=2πr²k,D=K/2,E=D/ε=D/εoεr,【2】讨论球外:r>R,高斯面包围的
电荷
Q=∫ρdV=∫(k/r)4πr&...
电场中电流
密度
的单位是J还是D?
答:
J是电流的
面密度
,就是导体单位截面积的电流,等于导体的电流除以截面积。D是电位移矢量。在各向同性均介质中,D为介质的
介电常数
与电场强度的乘积。微分形式的麦克斯韦方程组。微分形式的麦克斯韦方程是对场中每一点而言的。应用del算子,可以把它们写成式⑤是全电流定律的微分形式,它说明磁场强度H的...
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