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饱和管压降有什么用
饱和管压降
是
什么
???
答:
集电结处于正向偏置时,晶体管工作于
饱和
状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,
管压降
也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压...
谁能帮我解释一下
什么
是
饱和压降
?
答:
分类: 教育/科学 >> 科学技术 >> 工程技术科学 问题描述:关于晶体管方面的 解析:
饱和压降
就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结(饱和压降就是:当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结 ( C)与发射结(E)之间的电位差。压降就是:两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是:在一定的温度和...
管压降
是
什么
?
答:
集电结处于正向偏置时,晶体管工作于
饱和
状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,
管压降
也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
2、三极管是电流控制器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、
饱和压降
都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
2、三极管是电流控制器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、
饱和压降
都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应...
二极管
压降
的原理是
什么
?
答:
集电结处于正向偏置时,晶体管工作于
饱和
状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,
管压降
也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压...
三极管中
什么
是
饱和压降
答:
饱和压降
就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流,此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下:在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
\x0d\x0a\x0d\x0a2、三极管是电流控制器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、
饱和压降
都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。\x0d\x0a\x0d\x0a功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
\x0d\x0a\x0d\x0a2、三极管是电流控制器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、
饱和压降
都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。\x0d\x0a\x0d\x0a功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属...
晶体管
管压降
的定义是
什么
?
答:
集电结处于正向偏置时,晶体管工作于
饱和
状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,
管压降
也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压...
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