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饱和管压降有什么用
什么
叫二极管的
管压降
???
答:
详细解答 二极管的
管压降
就其本质而言还是一个电阻,只是导通的时候电阻很小,不导通的时候接近无穷大,而导通时候的电阻会分担一定的电压,所以叫管压降。二极管的压降是0.7V,低于这个电压二极管是不会导通的,高于这个电压,则会导通。在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最...
三极体
饱和
时Uce
压降
多大
答:
三极体
饱和
导通时的
压降
是多少啊 三极体饱和导通时的压降矽管0.7V,锗管0.3V。 三极体,全称应为半导体三极体,也称双极型电晶体、晶体三极体,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱讯号放大成幅度值较大的电讯号, 也用作无触点开关。晶体三极体,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用...
有关晶体管
饱和管压降
的问题
答:
书上说的是对的呀,你说的uce小于0.7只是一个范围,范围比较大,它只是相对发射结导通
压降
而言的,只有这样两结才能同时正偏,实际上你测试的话就在书上说的范围内
二极管的死区电压
管压降
答:
其实你不用把课本扣的太紧,这样反而使你读书的效率变慢,有很多东西都是长时间在阅历中慢慢体会到的。二极管的死区电压,就是说低于驱动二极管的电压,各种二极管的阈值是不一样的,而
管压降
,说白了,就是指加在二极管中上的电压。这时你就把二极管看作一个特殊的电阻就是了,这里的特殊,是指加在...
三极管9014的参数
答:
集电极最大耗散功率PCM=0.4W(Tamb=25℃)集电极最大允许电流ICM=0.1A集电极基极击穿电压BVCBO=50V集电极发射极击穿电压BVCEO=45V发射极基极击穿电压BVEBO=5V集电极发射极
饱和压降
VCE(sat)=0.3V (IC=100mA; IB=5mA)基极发射极饱和压降VBE(sat)=1V (IC=100mA; IB=5mA)特征频率fT=150MHz,HFE...
三极管输出特性曲线的
饱和
区,我很费解!
答:
当Ib很小或等于0时,基极没有电流流入,此时无论Uce如何变化,输出的Ic电流都很小,就像电路“截断”了一样,因此判断是否处于“截止区”的依据是Uce的变化不能输出有效的电流。综上所述,“
饱和
区”和“截止区”对于学生而言难于理解的原因在于,区分这些区域所采用的依据并不统一,一会用电压,一会儿...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
功率场效应管 #三极管 #导通压降 #电压控制器件 #驱动电压 #电流控制器件 #驱动电流 #
饱和压降
#开关频率 #结电容 #MOSFET #金属氧化物半导体 #场效应晶体管
当放大电路出现
饱和
失真或截止失真时,晶体管的
管压降
怎样变化
答:
出现截止失真时管压Uce变大,因为偏置电流变小,工作电流变小,R8、R9、R10上的电压变小,电源电压主要落在三极管上。出现
饱和
失真时管压Uce变小,因为偏置电流变大,工作电流变大,R8、R9、R10上的电压变大,落在三极管上的电压就小了。
二极管的
管压降
是指
什么
?
答:
在规定的正向电流下,二极管的正向电
压降
,是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向
压降
,在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管是由PN结构成的,任何一种材料的PN结在正向导通时,都会有电压降,硅管是0.7V 锗...
二极管的
管压降
是指
什么
?
答:
在规定的正向电流下,二极管的正向电
压降
,是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向
压降
,在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管是由PN结构成的,任何一种材料的PN结在正向导通时,都会有电压降,硅管是0.7V 锗...
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