锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏,硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。
晶体管的饱和压降与其导电类型无关,主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。
集电极电流基本上取决于负载电阻的大小。根据三极管的饱和深度不同,管压降也不是一个定值。可以略有变化,但饱和电流与管压降的乘积不能超过管子的最大功耗,以免损坏。
扩展资料:
三极管具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分.
中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。
参考资料来源:百度百科-三极管
硅双极型三极管:
截止状态:发射结反向偏置,集电结反向偏置接近电源电压。
放大状态:反射结正向偏置0.6V,集电结反向偏置电源电压减去集电极电阻压降和基极电压。
饱和状态:发射结正向偏置0.6V,集电结正向偏置0.3V。