加给可控硅的实际触发电压超过额定触发电压会怎样？

Question

有C1的需要吗？把R1换成电容怎样？如果R1换成电容，那么其容抗需多少？如果把R1、C1或二极管短路，当按下开关是会怎样？电路还需要哪些改进？ 可控硅信息：IGT max:50mA;VGT max:1.3V 问题较多，请耐心回答，因为电压较高，所以不敢实验。

Answer 1

你好：
——★1、这个可控硅电路不具备“移相”控制，属于“点动”控制开关，毫无使用意义：把点动开关代替可控硅，运行安全、更可靠。
——★2、再说电路本身：①、仅就充电回路来看，电容耐压6.3V是不合理的，电容有可能被击穿；②、即使充电完成，1000μ电容放电，过大的电流会损坏双向可控硅的。
——★3、一定要使用该电路作试验，应该采取两个措施：①、限制电容的充电电压，可以在电容上并联6V的稳压二极管；②、限制触发电流。可以在触发回路串联电阻来实现。追问

C1的存在只是把

电容是电脑上拆的，需要C1吗？

开关应该是自锁开关，不知道为什么画错了。

追答

1、在这里，电阻、二极管是起到充电作用，而不是“滤波”！右面的波形不对，没按下开关前，波形是平的（充电作用）。
2、自锁开关，可以直接代替可控硅控制负载，这个电路没有任何意义。
3、去掉电容、二极管，同样可以控制（双向）可控硅开关的。

追问

这是为实验电源（220V~；1.5A）而设计的电子开关，原配的机械开关用了不到半年就因打火花而接触不良。那我就把220V通过电阻和开关直接与触发极连接喽！行吧？

追答

完全可行，参看上边的第3条。......请私信探讨，再追问会被扣分的。

Answer 2

只会超电流，不会超电压的，短路R1后，按下会烧掉晶闸管，短接C1就不触发啦，

Answer 3

R1是触发电流限流电阻，太小的话，触发电流会过大，烧掉双向可控硅；C1的耐压太低了。