内存时序即描述同步
动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用
破折号分隔开的数字，列如上图的16-18-18-36。
第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N，这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以也就是越小越好啦，通常以
纳秒（ns）为单位。
各项数值
在这四组数字之中，第一组数字CL（即开头的一组）对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，一般
DDR4内存的第一项数值在15左右浮动，但是DDR3内存的数值在5到11之间，而且后面三组数值也比DDR4内存要小，也就是说在相同的频率下，DDR3内存是要比DDR4更快的（笔者并不是否定DDR4）。
说了关于时序四组数字的定义那么在购买产品时怎么运用到这一小知识点呢？我给大家举个例子，比如芝奇2400 MHz的DDR4内存，它的时序是17-17-17-39，而2666 MHz的内存时序则是19-19-19-43，在实际测试中2666 MHz的
内存频率虽然较高，但是由于时序数值也高，性能并没有什么优势。因此大家在选择内存的时候关注频率的同时还要重点看看时序，频率一样的情况下一定要选择时序更低的产品。关于时序，在进行内存超频时也可以通过手动超频来降低时序，不少厂家也会推出超频版本供
发烧友选择。