光耦控制双向可控硅经典电路，为什么电阻要用360R的，是怎么计算出来的？

Question

如题所述

Answer 1

这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。
触发电阻值如果太大，会使触发功率小，可控硅要到输入正弦波到高端才触发，输出电压低，甚至不能触发，所以可以放小一点（但考虑到对原件的保护作用触发电流最高不要超过0.5A），输出电压可以高一点，可以凭经验或试验得到。追问

这个电路输入电压换成220V，那360R的电阻下的触发电流会不会太大，但是我看到有这个电路有用在220V电压下的？

Answer 2

好像没具体计算公式，目前只知道上面电阻是限流，下面电阻是防误触导通，右边RC是保护。。。。

Answer 3

我记得这个是一种对称结构追问

我的理解是：
上面那个电阻作用是限流，流过光耦的电流不会太大
下面那个电阻作用是使电流流过出发端G，使可控硅导通
不知道正不正确，另外360欧的电阻是怎么计算出来的？