距测线约40 m范围内有6 个勘探钻孔，控制深度约标高-600 m～-900 m。钻孔资料（钻孔ZK3703、ZK2904除外）显示：上部三叠系（T）深度在标高-200～-400 m，电阻率值n×102 ～n×103 Ω·m。约-600 m下部是花岗闪长斑岩体（γδπ），显示为低阻中的弱高阻（n～n×10 Ω·m）。中间二叠系（P）上部电阻率值n×10～n×102 Ω·m，下部电阻率值n～n×10 Ω·m。矿体位于二叠系与花岗闪长斑岩体接触带附近。2875/Z下方矿体由垂直测线方向的钻孔剖面控制。
图3 铜山铜矿建模CSAMT勘查Z线视电阻率（Ω·m）断面图
1325/Z至1825/Z点浅部石英闪长玢岩（Qδμ）体由钻孔ZK3703、ZK2904控制，阻值为n～n×102Ω·m。其电阻率值与围岩电阻率值接近。
断面图上部3个高阻异常中心是三叠系灰岩引起的。中间二叠系底部电阻率值很低，屏蔽其下部地质体。底部3个低电阻率中的弱高阻（n～n×10Ω·m）异常中心是花岗闪长斑岩体引起，因二叠系低阻层屏蔽作用，引起下部岩体、地层电阻率显示值变小。矿体位于二叠系与下部岩体接触带附近，接触交代是其成矿类型。
结论：CSAMT法能清晰地反映三叠系及部分二叠系引起的高电阻率电性界面，有效划分地质单元。CSAMT法反映的深部低电阻率异常中的弱高阻异常是花岗闪长斑岩体引起的，二叠系与岩体接触带是主要赋矿部位。