纳米数代表了CPU的制造工艺水平，现在最先进的是来自IBM的7nm工艺，还有英特尔的14nm工艺，纳米数越小，操作难度越大，良品率相对变低，但极栅规格也就越小，漏电率越低，功耗越小，还有就是可以在同样的硅基氧化层上堆叠更多的晶体管，性能也就越强。
CPU出现于大规模集成电路时代，处理器架构设计的迭代更新以及集成电路工艺的不断提升促使其不断发展完善。从最初专用于数学计算到广泛应用于通用计算，从4位到8位、16位、32位处理器，最后到64位处理器。
扩展资料
工艺要素
晶圆尺寸
硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心；
300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所喜欢的。
蚀刻尺寸
蚀刻尺寸是制造设备在一个硅晶圆上所能蚀刻的一个最小尺寸，是CPU核心制造的关键技术参数。在制造工艺相同时，晶体管越多处理器内核尺寸就越大，一块硅晶圆所能生产的芯片的数量就越少，每颗CPU的成本就要随之提高。
反之，如果更先进的制造工艺，意味着所能蚀刻的尺寸越小，一块晶圆所能生产的芯片就越多，成本也就随之降低。比如8086的蚀刻尺寸为3μm，Pentium的蚀刻尺寸是0.90μm，而Pentium 4的蚀刻尺寸当前是0.09μm（90纳米）。
2006年初intel酷睿发布，采用65nm蚀刻尺寸，到2008年酷睿2已经发展到45nm蚀刻尺寸，2010年1月英特尔发布第一代Core i系列处理器采用32nm的蚀刻尺寸，2012年4月，英特尔发布第三代Core i系列处理器采用22nm蚀刻尺寸；
2015年初第五代Core i系列处理器采用14nm蚀刻尺寸，直到2016年第七代Core i系列KabyLake架构的处理器还在延续使用14nm蚀刻尺寸。
金属互连层
在前面的第5节“重复、分层”中，我们知道了不同CPU的内部互连层数是不同的。这和厂商的设计是有关的，但它也可以间接说明CPU制造工艺的水平。这种设计没有什么好说的了，Intel在这方面已经落后了，当他们在0.13微米制程上使用6层技术时，其他厂商已经使用7层技术了；
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