出现截止失真时：管压Uce变大，因为偏置电流变小，工作电流变小，R8、R9、R10上的电压变小，电源电压主要落在三极管上。
出现饱和失真时：管压Uce变小，因为偏置电流变大，工作电流变大，R8、R9、R10上的电压变大，落在三极管上的电压就小。
扩展资料：
晶体管的静态工作点设置较低时，由于输入信号的叠加有可能使叠加后的波形一部分进入截止区，这样就会出现截止失真。NPN型三极管共射极放大电路的截止失真的表现是输出电压的顶部出现削波，PNP型三极管的共射放大电路的截止失真是底部失真。
因为一旦进入饱和区或截止区，BJT的集电极电流Ic就不再随基极电流Ib变化，于是，输出信号UCE或Ic与输入信号Us的波形将有明显差异,或者说输出信号失真了。
参考资料来源：百度百科-截止失真
将要饱和失真时，Uce的电压比原来的要低；将要截止失真时，Uce的电压比原来的要高。
三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子）。
分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
扩展资料：
点接触晶体管：1945年二战结束,Shockley等发明的点接触晶体管成为人类微电子革命的先声。为此,Shockley为Bell递交了第一个晶体管的专利申请。最终还是获得了第一个晶体管专利的授权。
双极型与单极型晶体管：Shockley在双极型晶体管的基础上,于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念,即今天所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似。
但在p_n材料的界面存在一个耗尽层,以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小。
参考资料来源：百度百科-晶体管