中国内存制造领域迎来重大突破，合肥长鑫公司有望在2021年底实现其首款19nm工艺、8Gb核心的DDR4内存的量产。这家公司在2016年成立，凭借一期工程72亿美元的巨额投资，建设月产能12.5万晶圆的内存厂，进展迅速，目前设备安装调试工作已接近尾声。
长鑫与兆易创新的合作也推动了技术发展，他们基于奇梦达的19nm工艺基础，投资超过25亿美元，自主研发内存芯片。去年底已推出8Gb DDR4内存样品，今年第三季度则有8Gb LPDDR4内存样品亮相，年底将进入量产阶段，初始月产能目标为2万片晶圆，有望逐步提升至12.5万片/月。
在GSA+Memory存储峰会上，朱一明的演讲揭示了长鑫的技术路径，通过收购破产的奇梦达技术文件和数据，奠定了高起点。尽管与美光、三星等国际大厂的10nm工艺存在代差，但这并不妨碍其在市场上的竞争力，8GB、16GB规格的内存条将能满足市场需求。然而，良率提升和产能扩张将是公司能否在内存市场立足的关键，毕竟在这个竞争激烈的领域，盈利并保持生存并非易事。