当PN结承受正向电压时,其导通特性可通过以下直观解释。想象电源的正极与P型半导体接触,负极连接N型半导体,这会使得PN结区域承受正向电压。在这个过程中,外部电压的一部分在PN结处消耗,使得PN结进入正向偏置状态。此时,空穴从P区向N区移动,电子则从N区向P区移动,这导致空间电荷区的宽度减小,电场的方向原本是从N向P,但随着载流子的流动,实际电流方向与之相反,从P向N流动。
PN结之所以形成这种现象,源于其结构特性。PN结的形成是通过在半导体中掺杂不同类型的杂质,形成P型和N型区域。为了实现导通,需要消除空间电荷区的内部电场,即通过施加与内部电场方向相反的外加电压(正向偏置),载流子得以克服阻力流动,形成正向电流。相反,如果施加反向电压,内部电场的阻力增强,PN结几乎不能导通,仅会有极微弱的反向电流由少数载流子形成。
PN结的发展历程也显示了其技术进步,从1935年的多晶硅研究到1940年通过掺杂技术制造出PN结,科学家们不断发现和利用杂质元素的作用,如施主和受主杂质,以优化半导体的性能。总的来说,PN结的正向导通是由于外部电压与内部电场相互作用的结果,这在电子器件中起着关键作用。
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