场效应管的特点就是利用多数载流子导电,温度稳定性较好。
场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107—1012Ω)很大。它组成的放大电路的电压放大系数,要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。场效应管的抗辐射能力强,由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类,按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式分为耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
常见的场效应管
MOS场效应管:其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω),它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起,根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。
VMOS场效应管:全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A—100A)、输出功率高(1—250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
以上内容参考:百度百科—场效应管