σ/2ε0代表:就是在带电导体表面的时侯,非常靠近导体外表面用E=σ/ε0(可由高斯定理得到)。
设电荷面密度为σ的为板A,电荷面密度为2σ的为板B。
设板A在两板间产生的场强大小为E1,根据其对称性,其在两板外产生的场强亦为E1,方向相反。
对板A取一圆柱形高斯面,设器高斯面截面积为s。
根据静电场的高斯定理 ∮E1ds=Σq1/ε0,q1=σ*s,而∮E1ds=E1*2s。
解得 E1=σ/(2ε0)。
同理设板B在两板间产生的场强大小为E2,可得E2=σ/ε0,E1,E2方向相反,故合场强为E=E2-E1=σ/(2ε0) 方向由B指向A。
在静电学中
表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。 高斯定律(Gauss' law)表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性,高斯定律也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量,例如引力或者辐照度。