引晶的目的是什么

如题所述

目的:主要是为了排除位错和缺陷,使后面的晶体能够较好的生长。

引晶是拉晶里面的一个步骤,一般拉晶是指单晶生长的整个过程,其中包括清炉、装料、抽空、化料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉。

由于钨的熔点高达3600℃,因此钨坩埚被广泛应用于蓝宝石单晶生长炉、石英玻璃熔炼炉、稀土冶炼炉等工业炉内的核心容器,其使用的工作温度环境一般在2000℃以上。

特别对于蓝宝石单晶生长炉来说,具有高纯度、高密度、无内裂纹、尺寸精准、内外壁光洁、等特征的钨坩埚对蓝宝石晶体生长过程中的种晶成功率、拉晶质量控制、脱晶粘锅以及使用寿命起到了关键性的作用。

水热法 

晶体在高温高压下从溶液中生长,容器是高压釜。一般采用温差法,即把原料放在高压釜内温度较高的底部,籽晶则位于高压釜内温度较低的上部(如溶解度的温度系数为负,则相反),容器内充满溶剂。

原料在高温高压下溶解在溶剂中,由于温差对流,溶液在籽晶部位达到过饱和而使籽晶生长。溶液的循环促使原料不断地溶解,晶体不断地生长。此法最主要的用途是生长水晶,一般说,很多氧化物单晶均可采用此法。

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