半导体能带倾斜

如题所述

指固体中电子的能带结构在晶体对称性轴的垂直方向呈现出倾斜结构的现象。
半导体能带倾斜是新型量子材料的一种重要特性,它与普通半导体材料的能带结构不同。在晶体对称性较高,具有空间反演对称性、时间反演对称性等特征的材料中,存在着能带倾斜现象。这种现象使得材料可以具有一些独特的能带性质,如量子霍尔效应和拓扑绝缘体等。这些材料在能源、电子学、光学和量子计算等领域具有潜在的应用价值。
半导体能带倾斜的产生是由于晶体结构或晶格畸变引起的。在这些材料中,由于晶体对称性不同的轴向具有不同的能带势垒,电子在某一方向上的导电性质便会发生变化,呈现出较大的电子迁移率。这种材料比普通的半导体材料具有更为灵活的电子性质,适用于空间电子学、光电子学和量子信息科学等领域。半导体能带倾斜的研究对于材料科学和半导体电子学的发展具有极其重要的影响。
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