1:可控硅的导通速度比较慢,属于低速器件,就是从截止到完全导通的过程长,
在这个过程中;可控硅的两端电压是从高变低的,但这时已经有了电流.
于是: P=V*I,这个P就会消耗在可控硅器件上面,变成热.也就损耗了能量.
2:根据上面的原理;开关整流器件导通的过程越短,它消耗的能量越低,越节能.
也就是导通时间越短的(高频)器件,本身消耗的能量越低.
3:现在的高频器件,导通之后,结压降比可控硅更低,也就是消耗的能量也更低.
比如:可控硅导通后结压降一般在0.5V,高频器件导通后结压降一般在0.2V,
按100A电流算:高频器件导通后消耗的能量:P=0.2V*100A=20W.
可控硅器件导通后消耗的能量:P=0.5V*100A=50W.
可控硅器件的优势是价格低,控制电路简单.
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