网上找了半天,早已经是结论性的知识却得不到文献的证实。
回答此问题要求:
1、明确说明水对纯单晶硅表面的润湿性。给出接触角和包含这一信息的参考文献,最好为英文。附上全文。
2、明确说明DRIE工艺刻蚀单晶硅后得到的硅通道的润湿性。给出接触角和包含这一信息的参考文献,最好为英文。附上全文。
3、明确说明KOH或TMAH湿法刻蚀单晶硅后得到的硅通道的润湿性。给出接触角和包含这一信息的参考文献,最好为英文。附上全文。
全部说明的给满分+附加,如果给出的中文文献,不会有附加分,如果没有文献,不给分。
非常感谢大家的回答,尤其是第五个答案。但是,好像还没有回答这个问题。
其实硅表面是疏水表面应该早已经是结论性的知识了。我们在论文中也是这样写的。结果碰上一个审稿人,硬要说硅是亲水性的。这下就麻烦了。一定要找到证据证明硅是疏水性的。问了不少人,都同意硅是疏水性的。问题是无法提供书面的证据。目前,介绍硅片的亲水和疏水化处理的论文很多。但是硅本身什么特性,却怎么也找不到,找到的一些材料无法证明是硅本身的,而且说法不一。我把问题难度再降低一点吧。只要能够满足回答要求2条件的,我就给分。呵呵!现在更关心这个问题了。论文我找了几篇,但是都是擦边球,没讲到点子上那种。哎!