MOSFETæ¯çµååæ§å¶å¨ä»¶ï¼å®çæ
æçµåå³å®çå®ççµæµï¼ä¸åçmosfetç¹æ§ä¹ä¸åï¼å¢å¼ºåãèå°½åçæ§å¶çµåä¸åã\x0d\x0aè¿æ ·ä¸æ¥ï¼mosçåç½®éè¦ä¸ä¸ªåç¡®çæ
æçµåï¼èåç½®çµæµå´å¾ä½ï¼åç½®çµé»å¯ä»¥åå°å¾å¤§ï¼è¿æ ·MOSçè¾å
¥é»æä¹ä¼å¾é«ã\x0d\x0aDãSæä¸ä¸æ管ç¥åã\x0d\x0aç¸æ¯äºIGBTåBJTèå²å»æ§å¥½,æ
éçä½.ç±äºçµå¯¼çè´æ¸©åº¦ç³»æ°,MOSFETå¯æ©å±æ§å¾å¥½.大åçåºç¨æ¶,å¦ææ¬ä¸ææ,å¦åç¨ãå·¥ä¸ãé«ç«¯æ¶è´¹äº§å,MOSFETæ¯æä¼éæ©.ä½å大çµæµé¢åæ¯MOSFETç强项.\x0d\x0aIGBTæ¯ååçMOSFETåæ¥åå±èµ·æ¥çä¸ç±»å¼å
³å¨ä»¶,IGBTçä¼ç¹å¨äºå大åçæ¶ææ¬ä½,å ªç§°â穷人çæ³æå©â,èåæ¯MOSFET容æåé«.ç¸æ¯äºBJT,æ´å°è¢«äºæ¬¡å»ç©¿è失æ.常ç¨äºé«åï¼600V)åºç¨é¢å.以åä½ç«¯å¤§åçï¼2000W)设å¤,å¦çµç£çãéåå¨ç.\x0d\x0aBJTæ¯æèçå¼å
³å¨ä»¶,ç®åç±äºå½å
ä»æä¸æ¹å°æªæ·æ±°çBJTç产线没æå产,ä»ç¶æ´»è·äºä½ç«¯å¸åº.ä½åBJTå¼å
³é¢çå¯ä»¥è¾é«,ä½ç±äºé¥±åCEåéé«è¾¾0.4V以ä¸èè¿éäºMOSFET,åªè¢«ç¨å¨æä½ç«¯é¢å.é«åBJT驱å¨éº»ç¦,é使ç¨ä½å大çµæµççµæµæºé©±å¨,ä¸è¬ä½¿ç¨ååå¨é©±å¨.å¨é©±å¨ä¸å½æçµååºåè¿å¤§æ¶å®¹æåçäºæ¬¡å»ç©¿è失æ.éåä¸åç(50~1000W),对ææ¬æ度ææçå¸åº.\x0d\x0aBJTæ两ç§é©±å¨æ¹å¼,ä¸ç§æ¯åºæå¼å
³,ä¸ç§æ¯å°æå¼å
³.å°æå¼å
³çæçåå¼å
³é度é½ä¼äºåºæå¼å
³,æ¯BJTåºç¨çæ½®æµ.\x0d\x0açï¼MOSFETæ¯ç¨³å®æ§æ好çå¨ä»¶,ä¸å®¹ææå.MOSFET常è§ç失æ模å¼æï¼\x0d\x0aæ
æå»ç©¿.å³æ
æåæºæä¹é´çç»ç¼å±ç ´å.æ¤æ¶çMOSFETï¼æ¤å¤åæå¢å¼ºåMOSFETï¼æ æ³å¼å¯.\x0d\x0aå°è£
ç ´è£.è¿æ¯ç±ç¬é´é«çå¼èµ·ç.å¨ç¬é´äº§çè¿å¤§,æ£çä¸è¯çæ
å½¢ä¸,æ èå°è£
ææé¨åå解æ°å并è¨è,æå°è£
æè£.\x0d\x0aæ¼æºæä¹é´å»ç©¿.è¿æ¯MOSFETæ严éçä¸ç§å¤±æ模å¼,é常ä¸æåç.åçåä¼å¯¼è´çè·¯èéæè·¯.ä¼å¯¼è´å¼ºçµæºçè¿å¼±çµé¨å,å¦è¾å
¥çµåç´æ¥è¿å
¥æ§å¶è¯çèç§æ¯å¾å¤æ§å¶çµè·¯.é常æ¯æç»æ¸©åº¦å¤ªé«å¼èµ·çï¼ç®¡è¯æ¸©åº¦å¤§é¢ç§¯è¶
è¿200度æç»å·¥ä½æ¶æå¯è½åç)IGBT稳å®æ§æ¯MOSFETç¨å·®,ä½ä»å¼ºè¿BJT.é¤äºMOSFETç失æ模å¼å¤,è¿æäºæ¬¡å»ç©¿ç失æ模å¼.\x0d\x0aå½IGBTæç»è¶
è¿å®å
¨å·¥ä½åºå·¥ä½æ¶,ä¼åºç°è¿æªå¤§é¢ç§¯åçå°±åºç°CEæå»ç©¿çç°è±¡,è¿ç§å»ç©¿ç§°ä¸ºäºæ¬¡å»ç©¿.IGBTåºç°äºæ¬¡å»ç©¿çå¯è½æ§æ¯BJTå°å¾å¤,ä½ä»æå¯è½åºç°.\x0d\x0aBJT常è§ç失æ模å¼æï¼\x0d\x0aäºæ¬¡å»ç©¿ï¼æ常è§ç失æ模å¼,表ç°ä¸ºè¯ç并æªå¤§é¢ç§¯åç,ä½CEä¹é´æç»ä½é».æ¤æ¶BJTå·²ç»æå.å¦ææ¯ç¨å¨çµæºä¸æ²¡æä¿æ¤,åä¼è¿ä¸æ¥åå±ä¸ºæ´ç®¡çæ¯.CBé´ç»ç¼ç ´åï¼æ¯è¾å°è§,é常åçå¨æ´ç®¡çæ¯æ¶,æCBé´æ¿åççµåé«äºVCBOæ¶å»ç©¿.\x0d\x0açå»ç©¿ï¼å¨é«æ¸©ä¸ç®¡åç失æ.é常ä¸æåç,å äºæ¬¡å»ç©¿åçæ´å 容æ,å
åçäºæ¬¡å»ç©¿.\x0d\x0aMOSFETå¼å
³æå¿«,èä¸æ¯å¤å导çµå¨ä»¶,没ææå°¾çµæµ,æè主è¦æ¯å¼éæ¶çè¾åºçµå®¹æ¾çµæè.计ç®å
¬å¼ä¸º:\x0d\x0aPloss=f*0.5*Coss*V^2,\x0d\x0aVæ¯MOSFETå¼éåä¸ç¬é´æ¿åççµå.\x0d\x0aIGBTå¼å
³é度è¾å¿«,没æåå¨æ¶é´,ä½åå¨æå°¾çµæµ.æå°¾çµæµ,å°±æ¯å¨VCEå·²ç»åé«çæ
åµä¸,CEä¹é´ä»ç¶æä¸è¡å°çµæµæµéä¸æ®µæ¶é´,æå°¾çµæµå¯¼è´ççµæµ--çµå交åæèææäºIGBTç主è¦æè.\x0d\x0aBJTå¼å
³é度æ
¢,èä¸æ¯å°åå¨ä»¶,åå¨åå¨æ¶é´.åå¨æ¶é´å°±æ¯åºæçµæµå·²ç»åæçè³åå,èéæåå°æä»ç¶ä¿æå®å
¨å¯¼éçæ¶é´.å¨åå¨æ¶é´åè¿å
¥ä¸éæ¶é´.ä¸éæ¶é´æ¯çµåãçµæµäº¤åçæ¶é´,交åæèåçå¨ä¸éæ¶é´.ä½åBJTç±äºÎ²å¼é«,ä¸éæ¶é´æ¯è¾ç,åå¨æ¶é´ä¹å¯ä»¥éè¿èç¹åºç®ä½çµè·¯å¤§å¹
åå°,å æ¤ä¸»è¦æèå¨äºå¯¼éæè,å¼å
³æèä¸å¤ªå¤§.é«åBJTçåå¨æ¶é´ä¸å®¹æéè¿ç®ä½æ§å¶,ä¸éæ¶é´ä¹è¾é¿,主è¦æèå
æ¬çµæµ--çµå交åæè.\x0d\x0aä½å¿
须注æ,éç¨å°æå¼å
³çBJT没æåå¨æ¶é´,ä¸éæ¶é´ä¹å¾ç,å¼å
³æèå¯ä»¥è¾¾å°MOSFETçæ°´å.\x0d\x0açï¼ä»æèåæä¸æ¥ç,\x0d\x0aMOSFETç主è¦æèæ¯è¾åºçµå®¹æ¾çµæè,å æ¤éè¦å®ç°é¶çµåå¼é,å³å¼éåä¸ç¬é´DSçµå为0.\x0d\x0açµè·¯å½¢å¼æLLCå桥以ååæ¹æ³¢è°æ¯çåæ¢å¨,å¦ç§»ç¸å
¨æ¡¥ZVS,åè°æ¯åæ¿.\x0d\x0aIGBTç主è¦æèæ¥èªæå°¾çµæµ,å æ¤éè¦å®ç°é¶çµæµå
³æ,æ¶é¤æå°¾çµæµ,å³å
³æåä¸ç¬é´CEçµæµä¸º0.\x0d\x0açµè·¯å½¢å¼æZCSåæ¡¥ãZCSå
¨æ¡¥.\x0d\x0aBJTç主è¦æèåIGBTç¸ä»¿,主è¦å¨å
³ææ¶æçµæµ--çµå交åæè,å æ¤ä¹åºå®è¡é¶çµæµå
³æ.
温馨提示:答案为网友推荐,仅供参考