三极管饱和压降Vce（sat）是什么意思？
IB一定，我们可以通过设置集电极电阻来改变直流负载线，如图画有1和2两条直流负载线，在这个IB下，1和2都处于饱和状态。但其对应的电压分别是VCE1和VCE2。换句话说再其它一定情总下，集电极电阻不同时，三极处于饱和状态时ce间的电压是变化的，既然如此，为什么好些地方说三极管的饱和压降Vce（sat）大约为0.2V、0.3V的压降。按我的理解：Vce只要小于0.7V，即可使集电结正向偏置处于饱和状态。
三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。
三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解：三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态（Q1）；三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态（Q3）。
关于三极管的饱和压降Vce（sat）是有重要条件的，就是在一定的IB和IC的条件下的Vce（sat）。
在三极管的参数表给出的数据也是在一定条件下的数值（图中是S8050的Vce(sat)的数据）：
在图中还可以看出，当负载电阻很大（ic很小时）Vce(sat)的数值就很小，甚至小于0.1V。
追问您的回答，让我明确了一点：三极管饱和时，管压降Vce受IB和IC影响，而不是一个固定值；但是有一点还是不明白：既然饱和时vce不是固定值，那技术手册里提供一个Vce（sat）=0.6V有什么意义？
追答技术手册里提供一个Vce（sat）=0.6V应该是有条件的，而且是一个上限值，就是在所给的条件下的最大值。
技术手册里给出的这个数值是为设计人员提供参考，比如计算饱和功耗、估算动态范围等等。技术手册里所有的数据并不是一个精确的数值，而是一个数据范围，有最大值、典型值、最小值，都是提供参考的。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。