两无限大的平行平面都均匀带电,电荷的面密度分别为δ和-δ,求空间各处的电场强度。

如题所述

当两个无限大的、均匀带电的平行平面,分别带有电荷面密度δ和-δ时,我们可以通过高斯定理来计算空间中各点的电场强度。首先,选取一个与带电平面平行的长方体,利用高斯定理,带电平面间的电场线垂直于平面且分布均匀,一个平面的电场强度E1可以通过E1*S=δS/ε0来计算,其中S是长方体的面积,ε0是真空介电常数。

由于两平面产生的电场是等大同向的,因此整个空间的电场强度E等于两倍的E1,即E=2*E1=2δ/ε0,方向从带正电的平面指向带负电的平面。进一步地,我们可以利用高斯定理的公式∮E1ds=Σq1/ε0,求得单个平面的场强E1=σ1/(2ε0)。当考虑两个带电平面时,由于它们的电荷相反,E1和E2(由带负电的平面产生的场强)的大小相等但方向相反,所以合场强E=|E1-E2|=|σ1-σ2|/(2ε0)。

电场强度的这一特性,即电场对任意封闭曲面的通量只与曲面内电荷的代数和相关,而与电荷的位置分布和曲面外电荷无关,这是高斯定理的重要应用。在静电平衡的金属导体中,利用高斯定理能得出导体内无净电荷的结论,这对于验证库仑定律具有重要意义。

总的来说,空间各处的电场强度取决于两个带电平面的电荷面密度差,以及真空介电常数,其方向取决于电荷的正负。这个理论基于高斯定理,是电场计算中的基本原理。
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