5、在大功率电路中,可控硅直接串联有何问题?,一般采用什么方法解决?

如题所述

在大功率电路中,可控硅直接串联有误差的问题,一般采用并联的方法解决。

用在交流电路中,常用的为有可控整流,交流调压等等。至于连接方式,可控硅一般都是串联在电路中的,利用它的单向和可控性能进行触发导通控制来改变导通角度,可控硅有单向和双向,双向可控硅相当于正向和反向并联着的两个可控硅,因为每个半周都需单独触发才能导通的。

可关断可控硅

也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通可控硅相同,大功率GTO大都制成模块形式。

尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通可控硅在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比。

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