自举电路应用的分析
【不懂就问】如图，自举电路的应用【1】因为高电位所接的MOS的Vd接高电压源，因此导通时Vd和Vs电压相同(假设Rds很小),这样造成一变动电压源就要跟着去调整MOS(Q1)的Vgs,否则会导致Vgs不够大而使 MOS(Q1)截止。 但是一般D极所接的电源远大于开通的Vgs（th），怎么会出现上述现象呢？【2】当低电位所接的MOS(Q2)导通时,自举电容两端就等于(Vcc-Vd),对自举电容充电, 此时，应该是下管导通，上管截止，那既然上管截止了，Vs的电压就等于0了，为什么对自举充电的值为Vcc-Vd呢？
本人设计这过这种电路。用于驱动电源变换电路，采用这种方式后管子的工作温度降低，电路效率大幅提升。追问
【所以需要让栅极电压高于漏极以使管子能完全导通】
这句话里，让栅极电压高于漏极？这可能吗？
见过的自举电路，给自举电容供电的Vcc一般是远小于MOS管D极所外接的电源啊
电设计好就可能。MOS 管导通的条件是VG>2.5V 。你可以把C1的电压看做是电源
追问原来遇到过自举电路，也是用在IR2011S驱动开关管电路中，忘记了漏极所接的电源和给自举电容供电的电源Vcc是不是一样了，因该是前者大于后者？
参考IR2110芯片手册里的IC内部框图：网页链接
Q2导通把Vs拉低时，VCC通过二极管D1给C1充电，上正下负，即VB>Vb。这个自举（boost）电源VB就是驱动高端（High-Side）NMOS栅极的电源，如上框图。
之后，当需要驱动高端NMOS时，底下Q2会先截止，然后框图里最右上那个内部的NMOS导通，把VB加到外部Q1的栅极。因为VB始终会高于Vs，所以驱动NMOS是没问题的。
追问先谢谢，【Q2导通把Vs拉低时，VCC通过二极管D1给C1充电，上正下负，即VB>Vb】，这句里面，最后是不是应该是VB>VS啊，自举电容C1是接在VB和VS两端的，而且你说的Vb是什么？
追答哦，抱歉，手误，是VB>Vs
追问原来遇到过自举电路，也是用在IR2011S驱动开关管电路中，忘记了漏极所接的电源和给自举电容供电的电源Vcc是不是一样了，因该是前者大于后者？
追答可以用MOS的VCC，只要VCC电压大于MOS的Vth+二极管压降，并且小于MOS栅极击穿电压，小于手册上该驱动器允许的电压，即可。去看看那个器件手册。
可以用MOS的VCC，只要VCC电压大于MOS的Vth+二极管压降，并且小于MOS栅极击穿电压，小于手册上该驱动器允许的电压，即可。去看看那个器件手册。
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