多晶硅生产工艺流程如下：（1）粗硅粉碎的目的是______．分离SiHCl3（l）和SiCl4（l）的方法为______．（

Question

多晶硅生产工艺流程如下：（1）粗硅粉碎的目的是______．分离SiHCl3（l）和SiCl4（l）的方法为______．（2）900℃以上，H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K=c3(HCl)c(SiHCl)×c(H2)c3(HCl)c(SiHCl)×c(H2)．为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有______．（3）该流程中可以循环使用的物质是______．（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为______．

Answer 1

（1）固体表面积越大，化学反应速率越快，粗硅粉碎的目的是增大接触面积，加快反应速率，充分反应；SiHCl₃（l）和SiCl₄（l）是互溶的液体，采用蒸馏的方法分离；
故答案为：增大接触面积，加快反应速率，充分反应；蒸馏；
（2）因平衡常数等于生成物的浓度幂之积除以反应物的浓度幂之积，所以K=

c3(HCl)

c(SiHCl)×c(H2)

；
升高温度或增大氢气与SiHCl₃的物质的量之比或增大氢气浓度，提高还原时SiHCl₃的转化率，故答案为：升高温度或增大氢气与SiHCl₃的物质的量之比或增大氢气浓度；
（3）由图示可知反应物有粗硅、HCl、H₂；反应过程中生成物有：SiHCl₃、H₂、SiCl₄、HCl，所以在反应物中和生成物中都有的物质是HCl、H₂，所以流程中可循环使用的物质是HCl、H₂；
故答案为：HCl、H₂；
（4）SiCl₄与上述流程中的硅和氢气发生化合反应，可以制得SiHCl₃：3SiCl₄+Si+2H₂═4SiHCl₃，故答案为：3SiCl₄+Si+2H₂═4SiHCl₃；