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碳化硅半导体点火原理
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推荐答案 2024-06-11
1. 在金属与N型4H-SiC半导体结处,接触势垒得以形成,这被称为肖特基势垒。
2. 肖特基势垒的形成是碳化硅半导体点火原理的关键。
3. 基于肖特基势垒原理,人们制作了肖特基二极管。
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碳化硅半导体点火原理
答:
1. 在金属与N型4H-SiC半导体结处,接触势垒得以形成,这被称为肖特基势垒
。2. 肖特基势垒的形成是碳化硅半导体点火原理的关键。3. 基于肖特基势垒原理,人们制作了肖特基二极管。
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