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熔体中生长晶体应具备哪些热力条件
单晶材料的单晶制备方法:
答:
熔体单晶体生长的必要条件是:体系温度低于平衡温度
。体系温度低于平衡温度的状态称为过冷。△T的绝对值称为过冷度。过冷度作为熔体晶体生长的驱动力。一般情况:该值越大,晶体生长越快。当值为零时,晶体生长停止。(二)晶体生长的充分条件晶体生长是发生在固-液(或晶-液)界面上。通常为保证晶体...
在熔体法晶体生长过程中,过饱和是
熔体中晶体生长
的必要
条件
吗
答:
有。
晶体多半由熔体达到一定的过冷或溶液达到一定的过饱和而得
,晶体生长是用一定的方法和技术,使单晶体由液态或气态结晶成长。在适当的过冷度和过饱和的条件下,熔体中的原子向界面迁移。到达适当的生长位置,使晶体长大。所以晶体长大的条件是建立在可以形成晶核之上的。
利用
熔体
技术
生长
大尺寸
晶体
,对材料本身有
什么
要求和
条件
答:
饱和度。要求:物质溶解度温度系数不低于1.5g/kg℃
。⑵恒温蒸发法 基本原理:将溶剂不断蒸发,使溶液保持在过饱和状态,从而使晶体不断生长。特点:比较适合于溶解度较大而溶解度温度系数很小或者是具有负温度系数的物质。与流动法一样也是在恒温条件下进行的。(3)温差水热法 基本原理:使用特殊设计的...
晶体生长
的
热力
学
条件
,
什么
是界面温度分布,什么是界面微观结构_百度...
答:
成核的时候的过冷度大于
晶体生长
时的过冷度,所以结晶过程中液态实际处于过冷状态,当核产生后,大小大于某个尺寸时,生长的过冷度要低于成核,而且,表面积越大,所需的过冷度越小,所以这时候会产生,晶体表面的温度高于
熔体
,
熔体中生长晶体应具备哪些热力
学,动力学
条件
答:
③ 玻璃形基本条件
;④ 玻璃结构及结构参数 第4章 表面与界面(10~15)① 表面能表面张力;② 表面驰豫、重构及双电层、固体表面能;③ 弯曲表面效应;表面润湿粘附、吸附表面改性;④ 界面特性:晶界偏析、晶界迁移、晶界应力、晶界电荷与静电势;第5章 相平衡与相图(30~40)① 相与相平衡基本概念...
晶体生长
总结
答:
射频加热技术要求原料
具备
特定电阻率,设备对加热与传动系统的精准性要求更高。焰熔法则以成本低廉、
生长
速度快著称,适用于高熔点氧化物,但温场控制的挑战和
晶体
应力大等问题不容忽视。水热法则则在高压高温
条件
下生长硅酸盐和钨酸盐等特定晶体,利用溶解区与结晶区的温差形成对流,为生长提供了独特的...
熔体
提拉法
生长
宝石
晶体
答:
条件
:2050℃以上;10~15转/分;拉速1~10毫米/小时可调。将原料放入坩埚,加热到2060℃,使原料熔化,将上部已装好定向籽晶的拉杆下降,让籽晶与
熔体
接触,控制温度略高于熔点。然后,慢慢提拉、转动,小心降低功率,让
晶体
变粗。通过调节功率,实现接种—缩颈—放肩—等径
生长
—收尾的全部生长过程。
助熔剂法
生长
宝石
晶体
答:
二、助熔剂法
生长
合成红宝石
晶体
焰熔法合成红宝石产量大,结晶好,颜色全,但是与天然红宝石相比,极易鉴别。为了生长出接近于天然红宝石的合成红宝石,人们把精力集中到助熔剂法上。由于助熔剂法合成红宝石的包体、生长习性与在岩浆中形成的天然红宝石有相似的结晶
条件
,所以合成红宝石几乎达到以假乱真的地步,这也是助...
晶体生长
原理技术内容简介
答:
首先,第一部分深入讲解了
晶体生长
的基本原理,涵盖了
热力
学、动力学、界面过程等核心概念,以及形核原理在晶体生长初期的重要性。这部分为读者揭示了晶体生长背后的理论基础。第二部分则是技术基础篇,分为三章,详细探讨了晶体生长过程中关键的传输行为,包括传质、传热和对流等,以及化学基础,如材料提纯...
焰熔法
生长
宝石
晶体
答:
炉体 炉体的作用是创造一个保温
条件
,使
晶体
温度缓慢下降,炉膛要求流线型,便于气体流动和不积粉。 下降系统 在下降过程中旋转平台均匀下降,一般平台每小时下降1cm。 焰熔法已有100多年的历史,它在人工宝石工业中占有相当重要的地位,是产量和规模较大、使用历史最长的一种方法。 二、原料制备
生长
宝石所用原料的制备...
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