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临界饱和压降
模拟电路中的uces一般取多少?
答:
Uces的值取决于晶体管的导通程度。一般来说,深度饱和时的电压值为0.3V,浅饱和时为0.7V左右,1V基本上可以认为晶体三极管处于放大状态。当然,这些值也与晶体管的类型有关。饱和管
压降
也就是
临界饱和
电压,理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说...
关于三极管的
饱和压降
答:
不对!如果某三极管的
饱和压降
是0.3伏,则说明该三级管在饱和状态时的CE基准面电压差为0.3V,而不是截止状态和放大状态的电压!!
急求:如图晶体管β=50,|Ube|=0.2V,
饱和
管
压降
|Uces|=0.1V稳压管的稳定...
答:
经计算,该电路在u1=-2.58V时处于
临界饱和
状态,现U1=-5V<-2.58V,所以处于饱和状态,于是:U。=-0.1V(即
饱和压降
)。稳压管的作用是限制U。≮-5V,现U。=-O.1V>-0.5V且U。<0.5V,所以它处于非工作状态,即不产生影响。(你的问题中字母U未分大小写,严格的说,变量用小写,常量用大写)。
三极管在
饱和
状态时为什么集电极
压降
只有0.3v
答:
三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大,管子饱和越深(在一定范围内),其
饱和压降
越小;在相同的Ib下,集电极电流越小,管子的饱和压降也越小。笔者曾经做过实验,采用日本公司生产的2SD1960高β三极管(该管外形跟9013完全一样,β最高可达1000,其Icm达...
1-11中,为何
饱和
管
压降
小于ube的大小呢
答:
这个问题与题目无关,是由三极管自身的特性决定的。
饱和
管
压降
是uce,饱和状态时uce小于ube。三极管进入饱和区最主要的原因是:基极电流逐渐增大,导致集电极电流越来越大,在集电极电阻上(题1-11的图中有)的电
压降
越来越大,导致集电极电压越来越小;基极电位会逐渐大于集电极电位,最后集电极和发射极都...
晶体管
饱和
状态的对于BJT
答:
所以把这种发射极正偏、集电结0偏的状态特称为
临界饱和
状态。在BJT的输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内.BJT在饱和状态工作时,总是希望该饱和范围越小越好,即要求输出电压——
饱和压降
越低越好.因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻,故为了降低饱和压降,就需要提高集...
如何看三极管的特性?
答:
三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解:三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态(Q1);三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态(Q3)。关于三极管的
饱和压降
Vce(sat)是有重要条件的,就是在一定的IB和IC的...
三极管截止和
饱和
的状态如何判断?
答:
(2)当 VBB=1V 时因60bBEQBBBQ==RUVIμAV9mA3CCQCCOBQCQ===RIVuIIβ所T 处于放大状态。Vbb=0V时,三极管截止,Uo=12V;Vbb=1V时,Ib=(1-0.7)/5k=60uA,Ic=100*Ib=6mA,Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V;Vbb=2V时,Ib=(2-0.7)/5k=260uA,三极管
饱和
时Ic=12/1k==12mA...
电路中
压降
是什么意思
答:
问题七:模拟电子技术中的 三极管 饱和管
压降
Uces 是指什么概念 饱和管压降也就是
临界饱和
电压,理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V。 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各有什么特点?
答:
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
的特点如下:1、功率场效应管是电压控制器件,如果驱动电压不够,导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升,并且与温度成正比(在电源里可防磁饱和),驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高,开关频率速度较快(因结电容小)。2、三极管是电流控制器件,如果驱动...
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