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临界饱和压降
三极管中什么是
饱和压降
答:
饱和压降
就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流,此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下:在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断
临界饱和
的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就...
小功率硅三极管的
饱和压降
为什么是0.3v?有人能解释清楚吗?
答:
因为饱和时也是有内阻的,尽管它未必线性变化。小功率三极管的
饱和压降
还和管子的材质有关,分硅和锗两种;NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间,锗管的饱和压降为0.2~0.3V;另外饱和还分
临界饱和
、饱和、深度饱和,且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
小功率硅三极管的
饱和压降
为什么是0.3v?有人能解释清楚吗?
答:
因为饱和时也是有内阻的,尽管它未必线性变化。小功率三极管的
饱和压降
还和管子的材质有关,分硅和锗两种;NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间,锗管的饱和压降为0.2~0.3V;另外饱和还分
临界饱和
、饱和、深度饱和,且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
谁能帮我解释一下什么是
饱和压降
?
答:
饱和压降
就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结(饱和压降就是:当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结 ( C)与发射结(E)之间的电位差。压降就是:两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是:在一定的温度和压力下,溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度,不能在溶解了。也可以说是:事物...
这两个
饱和压降
是怎么算出来的
答:
晶体管的
饱和压降
不是计算出来的,它由管子结构如pnp,npn决定,另外也由制作工艺,材料相关。其数值往往是一个区间。
请问一下igbt
饱和压降
是什么
答:
igbt
饱和压降
是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)...
igbt
饱和压降
是什么
答:
igbt
饱和压降
是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)...
我想问问igbt
饱和压降
是什么
答:
igbt
饱和压降
是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)...
什么是三极管的
饱和压降
?
答:
三极管
饱和压降
Vce(sat)三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很...
igbt
饱和压降
是什么
答:
igbt
饱和压降
是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)...
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