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场效应管是什么
IGBT管与
场效应管
的区别及用途?
答:
一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流,而串联只能升高工作电压,而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子,不必用管子来串联提高,没有必要!至于是否能加管子那要看电路的功率余量(电源、输出、驱动)一般是不行的。特点 与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。(1)
场效应管是
电压控制器件,...
场效应管
的原理
答:
1、
场效应管
工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。2、场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要...
场效应管
的特点
答:
场效应管的特点就是利用多数载流子导电,温度稳定性较好。
场效应管是
电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107—1012Ω)很大。它组成的放大电路的电压放大系数,要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。场效应管的抗辐射能力强,...
场效应管
的G级,D级,S级分别是起
什么
作用的?
答:
场效应管
的三个电极相当于三级管的三个电极,,G是控制极,相当于三级管的B极,电压控制DS的导通率(三极管是电流控制型,B极控制CE的导通能力)\x0d\x0a\x0d\x0aD级是漏极,相当于三级管的集电极,S是源级,相当于三级管的发射级。\x0d\x0a场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))...
场效应管
和三极管的区别
是什么
?
答:
一、区别如下:1、区别一:
场效应管是
在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出,输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出,不消耗功率。2、区别二:场效应管和三极管的是电压和电流控制,但这都是相对的。电压控制的也需要电流,电流控制的也需要电压,只是相对要小而已。就...
场效应管
的工作原理
答:
场效应管
FET是由传统块体半导体制造技术制造,使用单晶半导体硅片作为反应区,或者沟道。大部分的不常见体材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中,或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体,常常用有机栅绝缘体和电极。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个...
场效应管是
不是开关管
答:
场效应管
和开关
管是
不一样的,它们分别为:开关三极管的外形与普通三极管外形相同,它工作于截止区和饱和区,相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用,被广泛应用于各种开关电路中,如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等。场效应晶体管(Field...
什么是IGBT?它的作用
是什么
?
答:
IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说,IGBT就是一个电路开关,优点就是用电压控制,饱和压降小,耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮,它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关,...
mosfet
是什么
电子元件
答:
mosfet是金属氧化物半导体
场效应
晶体管。MOSFET,全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,还可以称作MOS、MOS管,中文是金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种通过场效应控制电流的半导体器件,用金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应去控制半导体(S)的场效应晶体管,是最基础的电子...
mos
管是什么
原理,起什么作用的
答:
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、可以用作可变电阻。4、可以方便地用作恒流源。5、可以用作电子开关。简介:mos管,即在集成电路中绝缘性
场效应管
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