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饱和压降vces什么意思
晶体管
饱和压降Vces是什么
答:
三极管一般处于放大区工作,计算的时候一般从发射结压降入手,硅管0.7V,锗管0.2V,去算出vce。 但三极管同样有截止区与饱和区,当发射结与集电结都正偏的时候,三极管处于饱和区,此时vce是个常数,即
饱和压降
,取0.2V~0.3V。
...三极管工作时的CE电压是看VCEO还是
VCES
,还是VCES,VCEO都有...
答:
Vces是饱和压降,当三极管导通时,就看这个参数
。
Vceo是管子的最高耐压值
,正常电路不可能也不应该用到这个电压的。
三极管
饱和压降Vce
(sat)是
什么意思
?
答:
三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解:三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态(Q1);三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态(Q3)。关于三极管的
饱和压降Vce
(sat)是有重要条件的,就是在一定的IB和IC的条...
晶体管的
VCES是什么意思
,晶体管的VBQ是什么意思
答:
三极管在
饱和
区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate,
Vces
中的s就是此缩写)
压降
.VBQ是基极电压
〈数字电路,三极管〉
饱和压降
是
什么
?具体如何使用?
答:
饱和压降
是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.
Vceo
Vces
分别是
什么意思
答:
在集电极与反射极之间形成的反向击穿电压,也叫集电极与发射极之间的安全电压;2、Vceo是集电极与发射极之间的饱和电压降,三极管b代表基极,e代表发射极,c代表集电极,这一般都是最基本的参数;3、
Vces是
基极发射极短路,集电极发射极的反向击穿电压,三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的
饱和压降
。
图中npn三极管为
什么
当IO输入高点平out就输出0V?
答:
你在b极给了高电压,bc两端导通了,导致ce两端也导通了,Vce导通时
压降
是固定的,硅管的压降是0.7V。所以12v的电压在12V到地这条路上,大部分电压都给到了R2 = 12-0.7,所以输出就是低电平了
什么
是igbt
答:
IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:
饱和压降
(符号:V CE(sat) ):在指定的集电极电流和栅极电压的情况下,集电极、发射极间的电压。IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 输入电容(符号:Clss ):集电极、发射极间处于交流短路状态,在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时,栅极...
三极管问题
答:
工作在
饱和
区 时 c e之间的电压都要小于BE间的电压;一般在0.1V左右。以上所指的是NPN管。如果是PNP管那么电压的数值因是负的!你说的0.3V一般指锗管,如果是硅管那是0.6V。这个电压可以认为是放大区与饱和区的界点。数值的绝对值越小,饱和度越深(NPN PNP是相反的)!
光耦隔离的重要参数
答:
①隔离电容:一般要求小于1PF②直流电流传输比CTR:一般为20%--300%,越接近常数则线性越好,其大小反映光耦的传输能力③输入输出间的绝缘电压Viso(典型值:1—10KV) 和绝缘电阻Riso (典型值:1011--1012Ω) ④
饱和压降VCES
:一般小于0.4V⑤响应速度:一般用tPHL和tPLH表示 ...
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