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饱和管压降有什么用
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
2、三极管是电流控制器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、
饱和压降
都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应...
功率场效应管和三极管的导通
饱和压降
各
有什么
特点?
答:
2、三极管是电流控制器件,如果驱动电流不够,饱和时流过的电流越大、压降就会上升;如果有足够的驱动电流、
饱和压降
都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应...
什么
是
管压降
答:
管压降
理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降,也就不存在电流的流动。例如,A点的电势(同0电位的电势差)是2V,B点的电势是8V,那么,A...
请问“
管压降
”是
什么
?
答:
使二极管能够导通的正向最低电压,小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管的
管压降
:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有...
管压降
是
什么
答:
管压降
理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降,也就不存在电流的流动。例如,A点的电势(同0电位的电势差)是2V,B点的电势是8V,那么,A...
小功率硅三极管的
饱和压降
为
什么
是0.3v?有人能解释清楚吗?
答:
因为饱和时也是有内阻的,尽管它未必线性变化。小功率三极管的
饱和压降
还和管子的材质有关,分硅和锗两种;NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间,锗管的饱和压降为0.2~0.3V;另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和,且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
小功率硅三极管的
饱和压降
为
什么
是0.3v?有人能解释清楚吗?
答:
因为饱和时也是有内阻的,尽管它未必线性变化。小功率三极管的
饱和压降
还和管子的材质有关,分硅和锗两种;NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间,锗管的饱和压降为0.2~0.3V;另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和,且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
管压降
是
什么
答:
管压降
理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降,也就不存在电流的流动。例如,A点的电势(同0电位的电势差)是2V,B点的电势是8V,那么,A...
什么
叫三极管
管压降
答:
1、三极管
管压降
就是指集电极与发射极的电压。2、一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。3、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体...
三极体
饱和
时Uce
压降
多大
答:
三极体
饱和
导通时的
压降
是多少啊 三极体饱和导通时的压降矽管0.7V,锗管0.3V。 三极体,全称应为半导体三极体,也称双极型电晶体、晶体三极体,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱讯号放大成幅度值较大的电讯号, 也用作无触点开关。晶体三极体,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用...
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