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临界饱和压降
三极管
饱和
时Uce
压降
多大
答:
三极管
饱和
时Uce
压降
可以达到0.1V以下,甚至更低。一般情况下,在安全值以内,Ib越大,Uce越小。
三极体
饱和
时Uce
压降
多大
答:
三极体饱和时Uce
压降
多大, 三极体饱和时“Uce”的压降是多少? 这个要看具体型别的,一般来说,总的规律是,小功率三极体这个电压会小一些,但大功率三极体,这个电压不小。 1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE。 2、一般认为,
临界饱和
电压UCES是饱和与放大的...
模拟电子技术中的三极管、
饱和
管
压降
和Uces是指什么概念?
答:
饱和管
压降
也就是
临界饱和
电压,理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V。工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深。到...
三极管
饱和
管
压降
为什么是0.3V?
答:
在电子电路中,我们常常遇到一个关键的电压值——0.3V,这就是三极管在深度饱和状态下的管
压降
。不同于
临界饱和
的微妙平衡,饱和管压降代表的是一个极端且稳定的电流状态。临界与饱和的差异</临界饱和,如同一道微妙的门槛,当发射结正向偏置,集电结恰好开始反偏时,此时的电压关系是Ube=0.7V,Ucb=...
三极管中什么是
饱和压降
答:
饱和压降
就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流,此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下:在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断
临界饱和
的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就...
小功率硅三极管的
饱和压降
为什么是0.3v?有人能解释清楚吗?
答:
因为饱和时也是有内阻的,尽管它未必线性变化。小功率三极管的
饱和压降
还和管子的材质有关,分硅和锗两种;NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间,锗管的饱和压降为0.2~0.3V;另外饱和还分
临界饱和
、饱和、深度饱和,且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
三极管的
饱和压降
是多少?
答:
即Ic≈Ucc/RL,三极管
饱和
导通时的
压降
硅管0.7V,锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大。
谁能帮我解释一下什么是
饱和压降
?
答:
饱和压降
就是:当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结 ( C)与发射结(E)之间的电位差。压降就是:两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是:在一定的温度和压力下,溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度,不能在溶解了。也可以说是:事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。
三极管
饱和
的时候有电阻吗
答:
三极管饱和的时候并没有电阻的说法,而是三极管的饱和的时候会在CE极有
压降
,压降一般在1V左右。三极管饱和:1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断
临界饱和
的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度...
大哥你好,请问当三极管刚刚
饱和
时,Uce=Ube,管
压降
Uces,这时测量发射...
答:
请问当三极管刚刚饱和时,就是
临界饱和
状态,Uce=Ube,管
压降
Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯。不会变的。
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